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"트랜지스터"라는 단어는 "트랜스퍼"와 "바리스터"라는 단어의 조합입니다. 이 용어는 이러한 장치가 초기에 어떻게 작동했는지 설명합니다. 트랜지스터는 전자 공학의 주요 구성 요소이며, DNA가 인간 게놈의 구성 요소와 거의 같은 방식입니다. 이들은 반도체로 분류되며 두 가지 일반적인 유형, 즉 바이폴라 접합 트랜지스터 (BJT)와 전계 효과 트랜지스터 (FET)입니다. 전자가이 토론의 초점입니다.
바이폴라 접합 트랜지스터의 종류
BJT 배열에는 NPN과 PNP의 두 가지 기본 유형이 있습니다. 이들 명칭은 구성 요소가 구성되는 P 형 (양) 및 N 형 (음) 반도체 재료를 지칭한다. 따라서 모든 BJT에는 두 가지 PN 접합이 순서대로 포함되어 있습니다. 이름에서 알 수 있듯이 NPN 장치에는 두 N 영역 사이에 하나의 P 영역이 끼워져 있습니다. 다이오드에서 2 개의 접합은 순방향 바이어스 또는 역방향 바이어스 일 수있다.
이러한 배열은 총 3 개의 연결 단자가되며 각 단자에는 기능을 지정하는 이름이 할당됩니다. 이를 이미 터 (E),베이스 (B) 및 콜렉터 (C)라고합니다. NPN 트랜지스터를 사용하면 컬렉터는 N 부분 중 하나에 연결되고,베이스는 중간 부분의 P 부분에, E는 다른 N 부분에 연결됩니다. P 세그먼트는 약하게 도핑되고, 이미 터 단부의 N 세그먼트는 강하게 도핑된다. 중요하게, NPN 트랜지스터의 두 N 부분은 구조가 완전히 다르기 때문에 상호 교환 할 수 없습니다. NPN 장치를 땅콩 버터 샌드위치로 생각하면 도움이 될 수 있지만 빵 조각 중 하나는 끝 조각이고 다른 조각은 중간 덩어리에서 배열이 다소 비대칭 적입니다.
일반적인 이미 터 특성
NPN 트랜지스터는 각각 고유 한 입력 및 출력을 갖는 공통베이스 (CB) 또는 공통 이미 터 (CE) 구성을 가질 수 있습니다. 공통 이미 터 설정에서 별도의 입력 전압이베이스 (P)에서 P 부분에 적용됩니다 (V있다,이다) 및 수집기 (VCE). 전압 V이자형 그런 다음 이미 터를 떠나 NPN 트랜지스터가 구성 요소 인 회로에 들어갑니다. "공통 이미 터"라는 이름은 트랜지스터의 E 부분이 B 부분과 별도의 전압을 통합하고 C 부분이 하나의 공통 전압으로 방출한다는 사실에 근거합니다.
대수적으로이 설정의 전류 및 전압 값은 다음과 같은 방식으로 관련됩니다.
입력 : I비 = 나는0 (이자형VBT/V티 - 1)
출력 : I씨 = βI비
여기서 β는 고유 트랜지스터 특성과 관련된 상수입니다.